量子反常霍爾材料概念股
量子反;魻栃(yīng)的示意圖,拓?fù)浞瞧接沟哪軒ЫY(jié)構(gòu)產(chǎn)生具有手征性的邊緣態(tài),從而導(dǎo)致量子反;魻栃(yīng) 2012年10月,課題組終于發(fā)現(xiàn)在一定的外加?xùn)艠O電壓范圍內(nèi),此材料在零磁場中的反常霍爾電阻達(dá)到了量子霍爾效應(yīng)的特征值h/e2~25800歐姆——世界難題得以攻克。薛其坤團(tuán)隊經(jīng)過近4年的研究,生長測量了1000多個樣品。利用分子束外延方法,生長出了高質(zhì)量的Cr摻雜(Bi,Sb)2Te3拓?fù)浣^緣體磁性薄膜,并在極低溫輸運測量裝置上成功觀測到了量子反;魻栃(yīng)。量子反;魻栃(yīng)的價值在于材料應(yīng)用,以造出低功耗的電子器件。
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